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真空烧结炉温度控制是烧结工艺关键，过高过烧过低欠烧都影响烧结效果，需准确判断和微调。
欠烧时穿透氮化硅的银浆有残余，欧姆接触不好串联电阻大。过烧时银消耗多形成银硅混合层阻碍接触，同样串联电阻大。无法判断时调节8区温度找到调节点缓慢微调。背场微微鼓起说明过烧，应微调降温。
开始烧结前确认每个加热灯管正常运行。检查各温区灯管输出功率是否高于平均值，保证烧结均匀性。温度控制在合适范围获得良好烧结效果。