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津市桌面型 RTP 快速退火炉

所属：津市快速RTP退火炉

ZY-RTP 快速退火炉采用卤素红外灯管加热，升温速率可达 50-100℃/s，制程 300-1200℃，片内温度均匀 ±3℃。多区灯管独立控温，支持大气 / 真空两种腔体，可通氮气、氩气、氧气等工艺气体，平行进气避免片上冷点。适用于半导体晶圆欧姆接触、离子注入激活、SiC/GaN 退火、光伏电池发射极退火、薄膜栅介质退火及高校科研小片快速热处理。整机质保一年，卤素灯管寿命约 800-1500 小时。

应用行业：半导体封测、化合物半导体、光伏电池、新材料科研、薄膜器件制造。

行业应用：快速热处理炉、快速热退火炉、RTP 炉、红外退火炉、卤素灯管退火炉、单片快速退火炉。快速热处理工艺（RTP）、快速退火（RTA）、快速热氧化（RTO）、化合物合金（砷化镓、氮化物等）、多晶硅退火、欧姆接触快速合金。

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产品详细

半导体快速热处理设备

ZY-RTP 快速退火炉

卤素红外灯管加热，升温速率可达 50℃/s，制程 300–1200℃，片内温度均匀 ±3℃。适用于半导体晶圆欧姆接触、离子注入激活、SiC/GaN 退火与光伏电池退火。

50℃/s 快速升温片内均匀 ±3℃300–1200℃卤素红外多区控温

这台设备解决什么问题

做半导体晶圆、化合物半导体、光伏电池退火，常规管式炉升温慢、热预算大，片间一致性差。

ZY-RTP 快速退火炉用上下两组卤素红外灯管直接辐照样品，几秒到十几秒把晶圆或小片升到 300–1200℃，保温几十秒到几分钟后快速风冷降温。整个退火过程热预算小，浅层掺杂不会推深，片内和片间温度均匀性靠多区灯管独立控温来保。

设备支持大气和真空两种环境，可通氮气、氩气、氧气等工艺气体，平行进气设计避免片上出现冷点。适用于离子注入后杂质激活、金属欧姆接触退火、硅化物退火、薄膜退火、化合物半导体外延前退火。

主要技术特点

每条特点对应工艺上的实际改变，不堆形容词。

卤素红外灯管，升温 50℃/s

相比管式炉每分钟几度到十几度的升温速度，RTP 几秒到十几秒到达工艺温度。浅层硼、磷、砷在高温停留时间短，结深不会被推深，浅结工艺重复性更好。

多区灯管独立控温，片内 ±3℃

灯管按温区分组独立调功率，配合上下对称辐照，晶圆中心和边缘温差控制在 ±3℃ 以内。退火后接触电阻在整片上分布更均匀，边缘片和中心片不用单独挑片重测。

平行气路进气，气体预净化

工艺气体从样品表面平行吹过，不是直冲中心，避免局部冷点。进气前经过纯化器除水除氧，对氧敏感的 GaAs、InP 材料退火时表面不会再氧化。

风冷快降，减少高温停留

保温结束后停止辐照，腔体通保护气并配合风冷，样品从高温段快速降到 300℃ 以下。金属硅化物在高温区待得短，不会过度生长成厚层，方块电阻稳定性提高。

大气 / 真空两种腔体

普通退火在氮气或空气中做选大气款；需要除气、防氧化、低氧环境选真空款，本底真空可到 10⁻³ Pa。进气前先抽真空再回填工艺气，减少残留水汽和氧含量。

触摸屏程序控温

升温速率、保温温度、保温时间、气体切换步骤提前编好，一次跑完。每批工艺参数存档，换片不用重新设定，操作员换人也不影响结果。

适用范围与典型样品

按实际工艺对接经验，主要服务以下几类样品。

硅基晶圆：离子注入后杂质激活退火、接触孔退火、硅化物退火（NiSi、TiSi₂）
化合物半导体：SiC 欧姆接触退火、GaN 离子注入激活、氧化镓退火、InP/GaAs 背面金属退火
光伏电池：PERC/TOPCon 发射极退火、SE 激光掺杂后退火、薄膜电池背接触退火
薄膜与器件：HfO₂/Al₂O₃ 栅介质退火、金属栅退火、电极退火
科研与小批量：高校和研究所晶圆片、小片、镀膜片快速热处理工艺开发
气氛工艺：N₂、Ar、O₂、Forming Gas（5%H₂+Ar）两路标配

产品规格表（ZY-RTP-8 标准款）

以下为标准款出厂参数，可按工艺需求调整。

产品型号	ZY-RTP-8
最高工作温度	1200℃
常用工艺温度	300–1100℃
升温速率	室温–1000℃ 可达 50℃/s（空腔，可调）
降温速率	1200℃–400℃ 约 20–50℃/s（风冷+气冷）
加热元件	上下两组卤素红外灯管，多区独立控温
片内温度均匀性	±3℃（≤600℃）；±5℃（>600℃）
控温方式	红外测温 + 热电偶双模式，触摸屏程序控温
最大样品尺寸	8 英寸晶圆（可定制 6 寸/12 寸）
工艺气氛	N₂、Ar、O₂、Forming Gas，标配两路
腔体形式	大气款 / 真空款（本底真空 ≤1×10⁻³ Pa）
进气方式	平行进气，气体预净化
腔体材料	石英腔 + 不锈钢法兰
供电	380V，50Hz，三相
整机功率	约 25 kW
外形尺寸（约）	900×1000×1400 mm（宽×深×高）
安全保护	超温断电、灯管过流保护、腔体门联锁、气体流量报警

备注：以上为标准款参数；样品尺寸、温区数量、气氛路数、真空度、腔体材质等可根据客户工艺需求做调整。

实际工艺案例

三个不同行业的使用场景，供对照自己的工艺判断。

硅化物退火

东莞某半导体封测厂

原用管式炉做硅化物退火，400℃ 保温 30 分钟，方块电阻片间波动大。上 RTP 后 450℃ 快速升到温、保温 60 秒、快速降温，片间方块电阻离散度从 ±12% 降到 ±5% 以内。

光伏退火

佛山某光伏组件厂

原走管式炉一炉一批，产能卡在退火环节。换 RTP 单片处理后，单片工艺时间 3–5 分钟，在线单片通过，不用等整炉装满，TOPCon 电池片退火节拍跟上了产线节奏。

化合物半导体

广州某新材料实验室

研究 GaN 镁离子注入后的激活退火，在 N₂ 气氛下 800℃ 左右短时间处理。RTP 先抽真空、回填 N₂、再快速升温到 800℃ 保温 2 分钟，退火后光致发光强度有提升，片间重复性满足实验要求。

交付与售后

设备到厂、安装、培训、后续备件，一次说清。

交货周期

标准款 25–35 个工作日；真空款或定制腔体 40–55 个工作日。

到场服务

含一次安装、通电、腔体抽真空检漏、工艺验证和操作培训。

质保一年

整机质保 1 年。卤素灯管属消耗件，寿命约 800–1500 小时，长期供应原厂灯管和密封圈。

技术支持

7×12 小时电话/远程响应，珠三角可上门。交付时可配合送样调试，确认温场和气体流程再验收。

RTP 和管式炉退火怎么选

不是所有退火都需要 RTP，按工艺节奏选。

对比项	ZY-RTP 快速退火炉	常规管式炉
升温速率	50℃/s 量级，几秒到温	5–15℃/min，十几分钟到温
热预算	小，高温停留几十秒到几分钟	大，保温几十分钟到几小时
片内均匀性	±3–5℃（多区灯管控温）	±5–10℃（靠炉膛温场）
适用工艺	浅结激活、欧姆接触、短时间退火	长时间烧结、扩散、去应力
样品形态	单片晶圆/小片为主	多片批量装舟